반도체 메모리 | SOTO 백과사전

반도체 메모리(semiconductor memory, 문화어: 반도체 기억기)는 컴퓨터 메모리와 같이 디지털 데이터 저장에 사용되는 디지털 전자 반도체 소자이다. 일반적으로 규소 집적 회로 메모리 칩의 금속 산화물 반도체 (MOS) 메모리 셀 내에 데이터가 저장되는 소자를 지칭한다. 다양한 반도체 기술을 사용하는 수많은 종류가 존재한다. 랜덤 액세스 메모리 (RAM)의 두 가지 주요 유형은 메모리 셀당 여러 트랜지스터를 사용하는 정적 램 (SRAM)과 셀당 트랜지스터 하나와 MOS 캐패시터를 사용하는 동적 램 (DRAM)이다. 비휘발성 메모리 (EPROM, EEPROM, 플래시 메모리 등)는 셀당 단일 플로팅 게이트 트랜지스터로 구성된 플로팅 게이트 메모리 셀을 사용한다. 대부분의 반도체 메모리 유형은 임의 접근 속성을 가지고 있다. 이는 어떤 메모리 위치에 접근하더라도 동일한 시간이 걸리므로, 데이터를 어떤 임의의 순서로든 효율적으로 접근할 수 있음을 의미한다. 이는 데이터를 순차적으로 읽고 쓰는 CD와 같은 데이터 저장 매체와는 대조적이며, 따라서 데이터는 기록된 순서와 동일하게만 접근할 수 있다. 반도체 메모리는 다른 종류의 데이터 저장 장치보다 훨씬 빠른 액세스 타임을 가지고 있다. 바이트 단위의 데이터는 몇 나노초 내에 반도체 메모리에 쓰거나 읽을 수 있지만, 하드 디스크와 같은 회전식 저장 장치의 접근 시간은 밀리초 범위이다...